Крупнейший российский ученый, Нобелевский лауреат, автор фундаментальных работ в области физики и квантовой электроники, сегодня он еще и активный общественный деятель. Депутат Госдумы РФ, член Комитета ГД по науке и наукоемким технологиям, директор Физико-технического института имени А.Ф.Иоффе, Академик и вице-президент РАН, Жорес Иванович Алферов читает лекции, участвует в конференциях и полон оптимизма.

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в белорусском городе Витебске. Физикой Жорес увлекся еще в школе, которую окончил с золотой медалью.

В 1947 году Алферов был зачислен в Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В.И.Ульянова, его специализацией стала электровакуумная техника. Учась на третьем курсе, Жорес пошел работать в лабораторию профессора Б.Козырева, где начал свои эксперименты. Так полупроводники стали главным делом его жизни.

В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, молодой ученый был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе. Тогда перед учеными стояла задача: создать полупроводниковые приборы для внедрения в советскую промышленность. При участии Алферова были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы. В 1959 году он защитил кандидатскую диссертацию, подводившую итог десятилетней работы.

Накопленный опыт позволил ученому перейти к разработке собственной темы. В 1963 году Жорес Иванович начал изучение полупроводниковых гетеропереходов, а вскоре сформулировал новые общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктураx.

Благодаря исследованиям Алферова мир получил мобильные телефоны, проигрыватели компакт-дисков, светодиоды, солнечные батареи и волоконно-оптические линии связи. А открытия ученого позволили кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать новые и перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

В 1970 году Алфёров защитил диссертацию, обобщив этап последних исследований, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 году он стал профессором, а через год – заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.

В начале 1990-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под руководством Алфёрова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

Его исследования заложили основы принципиально новой электроники с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».

В 2000 году Жорес Алферов стал лауреатом Нобелевской премии по физике за разработки в полупроводниковой технике, разделив ее с учеными Г.Крёмером и Д.Килби.

Жорес Алферов – автор более 500 научных работ, трёх монографий и 50 изобретений. Он учредил Фонд поддержки талантливой учащейся молодежи, для содействия её профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. За свои исследования Алферов был награжден многими орденами и медалями. Он лауреат многих премий, как России, так и других стран…